Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3060LVT-7
MOSFET 25V~30V TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMN3060LVT
DMN3060LVT-7 Hakkında
DMN3060LVT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 3.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 60mOhm (10V, 3.1A) düşük on-direnç karakteristiğine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. 11.3nC gate charge ve 395pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 395pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok