Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN3055LF
DMN3055LFDB-7 Hakkında
DMN3055LFDB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 40mΩ RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. Surface mount UDFN2020-6 paketinde sunulan bu transistör, gating uygulamaları, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve hızlı komütasyon özelliğine sahip bu bileşen, kompakt tasarımlar gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 458pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok