Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3055LFDB-13
MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN3055
DMN3055LFDB-13 Hakkında
DMN3055LFDB-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen çift N-Channel MOSFET transistördür. 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtar kontrol ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. UDFN2020-6 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 40mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Mobil cihazlar, IoT ürünleri, güç dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 458pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok