Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3035LWN-13
MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMN3035LWN
DMN3035LWN-13 Hakkında
DMN3035LWN-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 5.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (35mOhm @ 10V) ile enerji verimliliği sağlar. VDFN3020-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve doğru akım (DC) dönüştürücü uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 399pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3020-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok