Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3033LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- DMN3033LSDQ
DMN3033LSDQ-13 Hakkında
DMN3033LSDQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajına ve 6.9A sürekli drain akımına sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. RDS(on) değeri 20mOhm (10V, 6.9A koşullarında) olup, düşük iletim kaybı gerektiren uygulamalara uygundur. Gate threshold voltajı maksimum 2.1V (250µA'de) ve gate charge 13nC (10V'ta) ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, akım anahtarlaması ve genel dijital lojik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 725pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok