Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3032LFDBQ-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN3032LFDBQ
DMN3032LFDBQ-7 Hakkında
DMN3032LFDBQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. U-DFN2020 SMD paketinde sunulan komponentin maksimum RDS(on) değeri 30mOhm (10V, 5.8A'de) olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük gate charge ve input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok