Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN3022LDG-13

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

Paket/Kılıf
8-PowerLDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3022LDG

DMN3022LDG-13 Hakkında

DMN3022LDG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, PowerDI333 paketinde sunulmaktadır. 8mOhm tipik RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve yazılım tanımlı elektrik sistemlerinde kullanılır. Surface mount paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum kapılama şarjı 8nC ve giriş kapasitesi 996pF ile hızlı komütasyon özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerLDFN
Part Status Active
Power - Max 1.96W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok