Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3016LDN-7
MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMN3016LDN
DMN3016LDN-7 Hakkında
DMN3016LDN-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V Drain-to-Source gerilimi ve 7.3A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 8-PowerWDFN (V-DFN3030-8) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 20mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıplı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen DMN3016LDN-7, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25.1nC gate charge ve 1415pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 2V threshold voltage ile direkt mantık seviyesi kontrolü mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3030-8 (Type J) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok