Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3016LDN-13
MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMN3016LDN
DMN3016LDN-13 Hakkında
DMN3016LDN-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET'tir. Her kanala 9.2A sürekli drain akımı kapasitesi ve 20mOhm RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. VDFN3030-8 yüzey montaj paketine sahip olan komponent, düşük gate charge (11.3nC) ve düşük input capacitance (1415pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, pil şarj devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3030-8 (Type J) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok