Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3015LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- DMN3015LSD
DMN3015LSD-13 Hakkında
DMN3015LSD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 8.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 15mOhm maksimum on-state dirençle (Rds On) karakterize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (25.1nC) ve input capacitance (1415pF) değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, anahtarlama güç kaynakları ve dijital lojik arayüzü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok