Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN26D0UDJ-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Paket/Kılıf
SOT-963
Seri / Aile Numarası
DMN26D0UDJ

DMN26D0UDJ-7 Hakkında

DMN26D0UDJ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 240mA sürekli drenaj akımı sağlayabilir. SOT-963 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 3Ohm (4.5V, 100mA) on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, 1.05V eşik voltajı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Düşük input kapasitanası (14.1pF) sayesinde yüksek hızlı dijital kontrol devrelerinde yer alır. Maksimum 300mW güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14.1pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-963
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok