Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2029USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- DMN2029USD
DMN2029USD-13 Hakkında
DMN2029USD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol devrelerine direkt olarak uygulanabilir. 25mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücü, DC-DC konvertörler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde çeşitli ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1171pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok