Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2023UCB4-7
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Seri / Aile Numarası
- DMN2023UCB4
DMN2023UCB4-7 Hakkında
DMN2023UCB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Common Drain konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 24V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine ve 6A sürekli drain akımı ile çalışır. 37nC gate charge ve 3333pF input capacitance özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount X1-WLB1818-4 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 1.45W güç tüketimine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Part status aktiftir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3333pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, WLBGA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.45W |
| Supplier Device Package | X1-WLB1818-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok