Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2019UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN2019UTS
DMN2019UTS-13 Hakkında
DMN2019UTS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 5.4A sürekli drenaj akımı sağlar. TSSOP-8 yüzey montaj paketinde sunulan DMN2019UTS-13, 18.5mΩ (10V, 7A) açık durumda direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı özellikleri taşır. 780mW maksimum güç derecelendirmesine ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel dijital lojik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 780mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok