Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2016UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN2016UTS
DMN2016UTS-13 Hakkında
DMN2016UTS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ile 8.58A sürekli drain akımı sağlar. 8-TSSOP yüzey montajlı paketle sunulan transistör, düşük 14.5mΩ on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve genel amaçlı logic seviyesi kontrol uygulamalarında kullanılır. 880mW maksimum güç dissipasyonu ile orta güç seviyesi uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.58A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1495pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 880mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok