Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN2016UFX-7

MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4

Paket/Kılıf
4-VFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN2016UFX

DMN2016UFX-7 Hakkında

DMN2016UFX-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 24V BVDSS ile 9.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. V-DFN2050-4 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 15mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge 14nC, threshold gerilimi 1.5V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 1.07W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-VFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 1.07W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Supplier Device Package V-DFN2050-4
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok