Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN2016LHAB-7

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN2016LHAB

DMN2016LHAB-7 Hakkında

DMN2016LHAB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 20V Drain-Source voltaj derecelendirilmesi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 15.5mOhm maksimum On-Resistance değeri ile verimli akım iletimi sağlar. Surface Mount 6-UDFN paketi küçük PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve IoT cihazlarında kullanıma elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2030-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok