Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN2016LFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Paket/Kılıf
8-PowerUDFN
Seri / Aile Numarası
DMN2016LFG

DMN2016LFG-7 Hakkında

DMN2016LFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ile 5.2A sürekli drain akımını destekler. Logic level gate özelliğine sahip olup, düşük geçit voltajında (1.1V @ 250µA) çalışır. 18mOhm RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-pin PowerUDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücüleri ve düşük voltaj güç dönüştürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerUDFN
Part Status Active
Power - Max 770mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN3030-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok