Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2014LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN2014
DMN2014LHAB-7 Hakkında
DMN2014LHAB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 9A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate özelliği ile düşük kontrol voltajlarında çalışabilmektedir. 13mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-UFDFN SMD paketinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok