Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2013UFX-7
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-VFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN2013UFX
DMN2013UFX-7 Hakkında
DMN2013UFX-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörtür. 20V Vdss ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlaması ve hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-VFDFN Surface Mount paketinde sunulan transistör, 11.5mΩ (Rds On) ile düşük iç dirençler sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge 57.4nC ve input capacitance 2607pF değerleriyle RF ve switching uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrol, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2607pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.14W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | W-DFN5020-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok