Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2011UFX-7
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 4-VFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN2011UFX
DMN2011UFX-7 Hakkında
DMN2011UFX-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 12.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama ve yük yönetimi uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm (4.5V, 10A) düşük on-resistance değeri ile enerji verimli tasarımlar sağlar. 56nC gate charge ve 2248pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount 4-VFDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta ve mobile cihazlar, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel denetim devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2248pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | V-DFN2050-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok