Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN2008LFU-7

MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Paket/Kılıf
6-UFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMN2008LFU

DMN2008LFU-7 Hakkında

DMN2008LFU-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilim desteği ve 14.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 5.4mOhm (Vgs=4.5V, Id=5.5A) düşük on-direnci sayesinde anahtarlama devrelerinde, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında etkin şekilde çalışır. Surface mount DFN2030-6 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge değeri 42.3nC (Vgs=10V) olup hızlı anahtarlama özellikleri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1418pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2030-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok