Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2008LFU-13
MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN2008LFU
DMN2008LFU-13 Hakkında
DMN2008LFU-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 14.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 5.4mOhm on-state direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 6-UFDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, LED sürücüleri, pil yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir ve kompakt tasarımı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1418pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok