Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN2005DLP4K-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN2005
DMN2005DLP4K-7 Hakkında
DMN2005DLP4K-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss derecelendirilmiş, 300mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponent, 6-XFDFN SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1.5Ohm drain-source direnci (4V, 10mA'da) ve 400mW güç dağılımı kapasitesi ile çalışır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, düşük sinyal seviyelerinde anahtarlama (900mV eşik gerilimi), RF uygulamaları, güç dağılımı devreleri ve genel amaçlı dijital/analog devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1310-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok