Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN1029UFDB
DMN1029UFDB-7 Hakkında
DMN1029UFDB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 5.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 29mΩ RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 6-UDFN yüzey monte paket ile kompakt tasarımlara uygun olan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Power management, portable cihazlar, DC-DC konvertörler ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok