Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN1029UFDB-13
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMN1029UFDB
DMN1029UFDB-13 Hakkında
DMN1029UFDB-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen çift N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V maksimum Drain-Source gerilimi ve 5.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6-UDFN Surface Mount paket içinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (29mΩ @ 5A, 4.5V) sayesinde enerji yönetimi ve güç dağılımında verimlidir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi uygulamaları ve motorlu sistemlerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok