Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
DMMT5551S-7-F
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Seri / Aile Numarası
- DMMT5551S
DMMT5551S-7-F Hakkında
DMMT5551S-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen eşleştirilmiş çift NPN transistör (dual matched pair) dizisidir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket içinde iki adet NPN transistör barındırır. 160V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) duyarlılığı ve 200mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarda kullanıma uygundur. 300mW maksimum güç yayılımı kapasitesi olan bu bileşen, frekans karakteristiği 300MHz olan uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve oto uygulamalarında kullanımı destekler. Düşük ICBO (50nA) kesme akımı ve 200mV maksimum satürasyon voltajı ile sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Eşleştirilmiş çift yapısı, diferansiyel devreler ve hassas analog uygulamalar için tercih sebebidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok