Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMHC10H170SFJ-13

MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Paket/Kılıf
12-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMHC10H170SFJ

DMHC10H170SFJ-13 Hakkında

DMHC10H170SFJ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen 2N/2P-Channel H-Bridge MOSFET'tir. 100V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 2.9A/2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile motor sürücüsü, güç döndürücüsü ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 160mOhm Rds(On) değeri ile düşük güç kayıpı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 2.1W maksimum güç yönetebilen bileşen, DFN5045-12 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. H-Bridge konfigürasyonu sayesinde çift yönlü hareket kontrolü gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 12-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 2.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package V-DFN5045-12
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok