Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
DMG963H10R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
DMG963H10R Hakkında
DMG963H10R, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör bileşenidir. NPN ve PNP transistörden oluşan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri ile yapılandırılmıştır. SOT-665 yüzey montajlı paket ile tasarlanan bu komponent, küçük sinyal anahtarlama uygulamalarında, lojik seviye dönüştürücülerde ve düşük gücü gerektiren devre tasarımlarında kullanılır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 125mW güç dissipasyonu ve 50V breakdown voltajı ile genel amaçlı elektronik devrelerde yer alabilir. Transistör dizisinin ön önyükleme yapısı, ek baz polarizasyon devreleri gerektirmeden basit anahtarlama işlevlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-665 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 125mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms, 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms, 10kOhms |
| Supplier Device Package | SSMini5-F4-B |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok