Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Paket/Kılıf
8-PowerUDFN
Seri / Aile Numarası
DMG8601UFG

DMG8601UFG-7 Hakkında

DMG8601UFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 6.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük gate gerilimi seviyeleriyle kontrol edilebilir. 23mΩ Rds(on) değeri ile düşük on-state direncine sahiptir. Surface Mount paketi (8-PowerUDFN) ve kompakt dizaynı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerUDFN
Part Status Active
Power - Max 920mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN3030-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok