Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG6898LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- DMG6898L
DMG6898LSDQ-13 Hakkında
DMG6898LSDQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 9.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 16mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük on-state direnci sunar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, switch kontrol devreleri ve anahtarlama gücü gerektiren ses/video sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygunluğunu sağlar. 26nC gate charge ve 1149pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1149pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.28W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok