Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMG6898LSD

DMG6898LSD-13 Hakkında

DMG6898LSD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen Dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim ve 9.5A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahip olup 4.5V Vgs'de 16mΩ on-resistance sunmaktadır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan DMG6898LSD-13, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve çeşitli analog/dijital elektronik tasarımlarında kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu transistör, düşük kapı yükü (26nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitansı (1149pF @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.28W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok