Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMG6602SV
DMG6602SVTQ-7 Hakkında
DMG6602SVTQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj derecesi ile çalışan bu bileşen, 3.4A ve 2.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 60mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 surface mount paketinde sunulan DMG6602SVTQ-7, -55°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 840mW maksimum güç dağılımı ve 13nC gate charge değeri ile kontrol devreleri tasarımında esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 840mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok