Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMG6602SVT
DMG6602SVT-7 Hakkında
DMG6602SVT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual kanal N ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajında 3.4A (N-channel) ve 2.8A (P-channel) sürekli dren akımı sağlar. Logic level gate sürüşü (4.5V) ile direkt CMOS/TTL entegreleri ile uyumludur. 60mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük güç kaybı sunarak, anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel sıcaklık aralığında kullanılır. Motor sürücüleri, LED kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 840mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok