Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMG6601LVT
DMG6601LVT-7 Hakkında
DMG6601LVT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual channel MOSFET transistördür. N ve P-channel kanalları tek pakette sunarak, tamamlayıcı switch uygulamalarında kullanılır. 30V drenaj-source gerilimi, 3.8A ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde yer alır. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol gerilimi gerektiren uygulamalara uygundur. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 850mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok