Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG5802LFX-7
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-VFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMG5802LFX
DMG5802LFX-7 Hakkında
DMG5802LFX-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 24V drain-source gerilim desteği ile 6.5A sürekli dren akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajı ile çalıştırılabilir. 15mOhm RDS(on) değeri düşük ısı kaybı ile verimli anahtarlama imkanı sunar. 980mW maksimum güç harcaması, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 6-VFDFN Surface Mount pakajında hazırlanmış bu bileşen, motor sürücüleri, güç dağıtım uygulamaları, LED kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1066.4pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 980mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | W-DFN5020-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok