Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
DMG564060R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
DMG564060R Hakkında
DMG564060R, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual BJT transistörlü entegre komponenttir. Tek pakette bir NPN ve bir PNP transistör barındıran bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama ve darbe şekillendirme uygulamalarında kullanılır. 6-SMD flat leads paketinde sunulan komponent, geri beslemeli amplifikatörler, inverter devreler ve lojik seviyeleme uygulamalarında tercih edilir. 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kesintisiz collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Entegre 4.7kΩ base direnci sayesinde harici bias direnci gereksinimleri azaltılır. 150mW maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SMini6-F3-B |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok