Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

DMG563H50R

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
DMG563H50R

DMG563H50R Hakkında

DMG563H50R, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör çiftidir. Tek paket içinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistörü entegre şekilde bulunduran bu komponent, SMD montajı için tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 50V kolektor-emitter gerilim dayanımı ve 150mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamaları için uygundur. Paket içinde entegre edilen ön beslenme dirençleri (Base 47kOhm/10kOhm ve Emitter-Base 47kOhm) sayesinde harici ön beslenme devresi tasarımına gerek kalmaz. Elektronik kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme ve inverter devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. SMini5-F3-B paket formatında temin edilen komponentin üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Part Status Market
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package SMini5-F3-B
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok