Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

DMG563H10R

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
DMG563H10R

DMG563H10R Hakkında

DMG563H10R, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu komponent, SMini5-F3-B paketinde sunulur. Her transistöre entegre edilmiş baz ve emitter-baz dirençleri (47kΩ/4.7kΩ ve 47kΩ/10kΩ) sayesinde harici biyaslandırma devreleri gerektirmez. Maksimum 100mA kolektör akımı, 150mW güç tüketimi ve 50V VCE(BR)DSO ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile kompakt tasarımlara uygun olup, endüstriyel kontrol, aydınlatma denetleyicileri ve inverter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Part Status Market
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package SMini5-F3-B
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok