Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

DMG563010R

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
DMG563010R

DMG563010R Hakkında

DMG563010R, Panasonic tarafından üretilen ön beslemeli dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SMini5-F3-B paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum collector akımı ve 150mW güç kapasitesi ile düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. Entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile ön beslemeli (pre-biased) yapıda tasarlanmıştır. 50V breakdown voltajı ve 250mV saturation voltajı karakteristiğine sahiptir. Sinyal anahtarlaması, lojik seviyelendirme ve düşük akım uygulamaları için uygun bir bileşendir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye direk monte edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Part Status Market
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms
Supplier Device Package SMini5-F3-B
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok