Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG4800LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- DMG4800LSD
DMG4800LSD-13 Hakkında
DMG4800LSD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 10V'de 16mOhm düşük on-direnci sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı anahtarlama işlevlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate charge (8.56nC) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.56nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.17W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok