Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMG1029SV-7

MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
DMG1029SV

DMG1029SV-7 Hakkında

DMG1029SV-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistörleri içeren bir dizi komponenttir. SOT-563 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 60V Drain-Source voltaj desteği ile çalışır. Logic Level gate özelliği sayesinde düşük voltaj lojik devreleriyle doğrudan uyumludur. 500mA ve 360mA sürekli dren akımı kapasitesi, 1.7Ohm (10V, 500mA'de) RDS(on) değeri ve 0.3nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, ters voltaj koruması ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA, 360mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 450mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok