Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMG1016VQ-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- DMG1016VQ
DMG1016VQ-7 Hakkında
DMG1016VQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve düşük anahtarlama gecikmesi gerektiren uygulamalarda kullanılır. N-channel 870mA, P-channel 640mA sürekli dren akımı sağlar. SOT-563 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyumludur. Maksimum 530mW güç dağıtabilir ve 400mOhm (4.5V, 600mA) RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, ses amplifikatörleri ve aydınlatma kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 870mA, 640mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 530mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok