Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMG1016UDW-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
DMG1016UDW

DMG1016UDW-7 Hakkında

DMG1016UDW-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual kanal (N ve P-Channel) MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ile low-power anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrolü gerektiren devrelerde, mikroişlemci çıkışlarından doğrudan kontrol edilebilir. 1.07A (N-Channel) ve 845mA (P-Channel) sürekli drenaj akımı kapasitesi vardır. 450mOhm on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Mobil cihazlar, pil yönetim sistemleri, LED sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı lojik kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SOT-363 (6-TSSOP) paketinde sunulur ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.07A, 845mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 330mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok