Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMC67D8UFDBQ-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMC67D8UFDBQ

DMC67D8UFDBQ-7 Hakkında

DMC67D8UFDBQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N ve P-Channel Complementary MOSFET dizisi olup 6-UDFN Exposed Pad paketinde sunulmaktadır. Maximum 60V Drain-Source voltajında çalışabilen bu komponentin sürekli dren akımı 390mA ile 3.9A arasında değişmektedir. Rds(On) değeri 4Ω (10V, 500mA) ile 72mΩ (4.5V, 3.5A) arasında bulunmaktadır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve endüstriyel kontrolörler gibi compact tasarımların gerekli olduğu alanlarda kullanılmaktadır. Surface Mount monte tipi sayesinde otomatik üretim hatlarında kolay entegrasyonu mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 20V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41pF @ 25V, 443pF @ 16V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 580mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok