Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMC67D8UFDBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMC67D8UFDBQ
DMC67D8UFDBQ-13 Hakkında
DMC67D8UFDBQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N ve P-Channel tamamlayıcı MOSFET dizisidir. 60V BVDSS ile tasarlanan bu bileşen, 6-UDFN yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 390mA-2.9A drain akımı kapasitesi ve 4Ohm-72mOhm aralığında RDS(on) değerleri içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, 580mW maksimum güç tüketimi ile karakterizedir. Gate charge ve input capacitance özellikleri, anahtarlama hızı ve devre tasarımı optimizasyonunda kullanılır. Genel amaçlı anahtarlama, güç yönetimi, sürücü devreleri ve düşük sinyal uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 390mA (Ta), 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 25V, 443pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 580mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok