Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMC25D1UVT-13
MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMC25D1UVT
DMC25D1UVT-13 Hakkında
DMC25D1UVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N/P-Channel MOSFET transistörüdür. 25V N-Channel ve 12V P-Channel Drain-Source gerilimi ile çalışan bu bileşen, SOT-23-6 surface mount pakajda sunulmaktadır. N-Channel için 500mA, P-Channel için 3.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (0.9nC @ 10V) ve minimal input capacitance (27.6pF @ 10V) özellikleriyle hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. RDS(on) değeri 4Ω @ 400mA, 4.5V olup, 1.3W maksimum güç saçma kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, DC/DC konvertörleri, güç yönetimi, inverter devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA, 3.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V, 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok