Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMC1229UFDB-13

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMC1229UFDB

DMC1229UFDB-13 Hakkında

DMC1229UFDB-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual channel N ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj uygulamalarında direkt kontrol sağlar. 12V Drain-Source voltajı ile çalışan bu bileşen, N-channel'da 5.6A ve P-channel'da 3.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 29mOhm (4.5V, 5A) çok düşük On-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. 6-UDFN U-DFN2020-6 yüzey montaj paketinde sunulan DMC1229UFDB-13, güç yönetimi, anahtarlama, DC-DC dönüştürücü ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanımı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok