Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMC1029UFDB-13
MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMC1029UFDB
DMC1029UFDB-13 Hakkında
DMC1029UFDB-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N/P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilim değeri ile orta voltajlı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. N-Channel kanalda 5.6A, P-Channel kanalda 3.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi bulunmaktadır. 29mOhm (4.5V, 5A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-UDFN yüzey montajlı paket ve maruz pad yapısı, kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 1.4W maksimum güç dağıtabilir. Motor kontrol, anahtarlama, güç yönetimi ve inverter devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A, 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok