Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DI2579N
BJT SOT-223 700V 1000MA
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- DI2579N
DI2579N Hakkında
DI2579N, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.25W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile, düşük frekans güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1V saturasyon voltajı (50mA base akımında) ve minimum 15 DC current gain değeri ile tasarım hesaplamalarında önceden belirlenebilir karakteristikler sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 350mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 350mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok